IDT70V06L25GI,IDT70V06L25GI pdf中文资料,IDT70V06L25GI引脚图,IDT70V06L25GI电路-Datasheet-电子工程世界

IDT70V06L25GI: 产品描述Dual-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, CPGA68, CERAMIC, PGA-68; 产品类别存储存储; 文件大小168KB，共22页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT70V06L25GI概述

Dual-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, CPGA68, CERAMIC, PGA-68

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	PGA
包装说明	CERAMIC, PGA-68
针数	68
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-CPGA-P68
JESD-609代码	e0
长度	29.464 mm
内存密度	131072 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	68
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	16KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	PGA
封装等效代码	PGA68,11X11
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.207 mm
最大待机电流	0.005 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm
端子位置	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	29.464 mm
Base Number Matches	1

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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