Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT71V67703S75PF8

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IDT71V67703S75PF8: 产品描述Cache SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小174KB，共20页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT71V67703S75PF8概述

Cache SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100

IDT71V67703S75PF8规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100
针数	100
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	7.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	117 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	100
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.05 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.265 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

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256K X 36, 512K X 18

IDT71V67703

3.3V Synchronous SRAMs

IDT71V67903

3.3V I/O, Burst Counter

Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect

Features

◆

256K x 36, 512K x 18 memory configurations

Supports fast access times:

– 7.5ns up to 117MHz clock frequency

– 8.0ns up to 100MHz clock frequency

– 8.5ns up to 87MHz clock frequency

LBO

input selects interleaved or linear burst mode

Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write

enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

3.3V I/O supply (V

DDQ

)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin thin plastic quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch ball

grid array (fBGA)

Green parts available see ordering information

Functional Block Diagram

LBO

ADV

CEN

Burst

Sequence

INTERNAL

ADDRESS

CLK

ADSC

ADSP

CLK EN

ADDRESS

Byte 1

Write Register

Binary

Counter

CLR

Burst

Logic

18/19

A0*

A1*

256K x 36/

512K x 18-

BIT

MEMORY

ARRAY

18/19

2 -

36/18

0–

17/18

BWE

Byte 1

Write Driver

Byte 2

Write Register

Byte 2

Write Driver

Byte 3

Write Register

Byte 3

Write Driver

Byte 4

Write Register

Byte 4

Write Driver

Enable

DATA INPUT

CLK EN

Powerdown

I/O

–I/O

I/O

P1–

I/O

36/18

OUTPUT

BUFFER

5309 drw 01

DECEMBER 2014

DSC-5309/06

IDT71V67703S75PF8相似产品对比

	IDT71V67703S75PF8	IDT71V67703S75PFI8	IDT71V67703S75PF	IDT71V67703S80PF8	IDT71V67903S75PFI8	IDT71V67903S80PF8	IDT71V67703S80PFI8	IDT71V67903S75PF8
描述	Cache SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 256KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 512KX18, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 256KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100	14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100	14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100	14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100	14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100	14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100	14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100	14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100
针数	100	100	100	100	100	100	100	100
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	7.5 ns	7.5 ns	7.5 ns	8 ns	7.5 ns	8 ns	8 ns	7.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	117 MHz	117 MHz	117 MHz	100 MHz	117 MHz	100 MHz	87 MHz	117 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	36	36	36	18	18	36	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	100	100	100	100	100
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	524288 words	524288 words	262144 words	524288 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	512000	512000	256000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C
组织	256KX36	256KX36	256KX36	256KX36	512KX18	512KX18	256KX36	512KX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240	240	240	240	240
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.05 A	0.07 A	0.05 A	0.05 A	0.07 A	0.05 A	0.07 A	0.05 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.265 mA	0.285 mA	0.265 mA	0.21 mA	0.285 mA	0.21 mA	0.23 mA	0.265 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	20	20	20
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-

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