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IRGB6B60KDTRLPBF

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小311KB,共16页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
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IRGB6B60KDTRLPBF概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3

IRGB6B60KDTRLPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)13 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)250
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)258 ns
标称接通时间 (ton)45 ns
Base Number Matches1

 
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