5962-8959829MZX,5962-8959829MZX pdf中文资料,5962-8959829MZX引脚图,5962-8959829MZX电路-Datasheet-电子工程世界

5962-8959829MZX: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小441KB，共91页; 制造商EDI [Electronic devices inc.]

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5962-8959829MZX概述

Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

参数名称	属性值
包装说明	0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	25 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T32
长度	40.64 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	3.937 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

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