Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 500V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-227, 4 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 零件包装代码 | SOT-227 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 580 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 38 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.13 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PUFM-X4 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 150 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | NICKEL (197) |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| FA38SA50LCPBF | |
|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 500V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-227, 4 PIN |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 零件包装代码 | SOT-227 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 580 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 38 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.13 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PUFM-X4 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 150 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | NICKEL (197) |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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