Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 3CA753G(TO-252-2L)

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3CA753G(TO-252-2L): 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小104KB，共2页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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3CA753G(TO-252-2L)概述

Transistor

3CA753G(TO-252-2L)规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-251/TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors

3CA753

FEATURES

Power dissipation

MAXIMUM RATINGS (T

=25

℃

unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector power dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

-40

-30

-5

-2

1.2

150

-55-150

Units

℃

2.COLLECTOR

3.EMITTER

TRANSISTOR (PNP)

TO-251

TO-252-2L

123

1.BASE

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

CE(sat)

Collector-emitter saturation voltage

CE(sat)

Transition frequency

Collector output capacitance

unless

Test

otherwise

specified)

MIN

-40

-30

-5

-0.1

100

400

-0.8

-2

120

MHz

TYP

MAX

UNIT

µA

conditions

=-100µA,I

=-10mA,I

=-1mA,I

=-40V,I

=-5V,I

=-2V,I

=-500mA

=-2A,I

=-200mA

=-1.5A,I

=-30mA

=-5V,I

=-500mA

=-10V,I

=0,f=1MHz

CLASSIFICATION OF

Rank

Range

Marking

100-200

160-320

200-400

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IC Insights:IC市场在第二季度走上复苏之路

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支持SMIC 65纳米工艺的低功耗参考流程

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StrategyAnalytics发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓(SIGaAs)外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结，2008年半绝缘砷化镓(SIGaAs)外延衬底市场年增长率达到22%，但StrategyAnalytics预计2009年该市场将持平或转负增长。借助下一代蜂窝手机平台上嵌入多砷化镓(GaAs)器件，以及来自其它市场对砷化镓(GaAs)器件...[详细]
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液晶面板供应链断裂韩企涨价搅局中国

涨价风潮已从笔记本电脑、台式电脑的中小尺寸液晶面板，蔓延到大尺寸的液晶电视面板。　　据市场调查机构Displaysearch统计的最新数据显示，从今年年初开始，各类液晶面板一直处于上涨行情。其中液晶电视面板涨幅最大：32英寸液晶面板由4月下旬的165美元上涨了10美元~15美元，37英寸和42英寸面板的价格涨幅将达20美元。　　Displaysearch营销总监罗美合表示，液晶面板...[详细]
三月半导体设备订单出货比反弹

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近距离接触全球化设计协作

复杂系统的设计涉及三个主要元素：专业知识、设计队伍（engineeringscale）和项目管理。专业知识是创新的源头（创新需要经验和产品知识）、设计队伍系统性地完成复杂的工程设计任务、项目管理则确保各个板块能按计划协同工作。所有设计工作都要在客户越来越挑剔、工程人员老龄化以及其它人口因素挑战的环境下进行。全球化设计协作有助解决所有上述所有问题。许多大公司现在正从全球化设计协作...[详细]
恒忆群联结盟海力士剑指新一代NAND闪存控制器

恒忆半导体(Numonyx)、群联电子(Phison)和海力士(Hynix)日前宣布三家公司签署一份合作开发协议，三方将按照JEDEC新发布的JEDECeMMC4.4产业标准，为下一代managed-NAND解决方案开发闪存控制器。预计此项合作将加快当前业内最先进的eMMC标准的推广，有助于管理和简化大容量存储需求，提高无线设备和嵌入式应用的整个系统级性能。根据这项协议，恒...[详细]

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