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66CNQ200S

产品描述Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小479KB,共6页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
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66CNQ200S概述

Rectifier Diode,

66CNQ200S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
Reach Compliance Codecompliant
二极管类型RECTIFIER DIODE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

66CNQ200S相似产品对比

66CNQ200S 66CNQ200SM 66CNQ200 66CNQ200SL
描述 Rectifier Diode, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 200V V(RRM), Silicon, MODULE-3 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 200V V(RRM), Silicon, MODULE-3 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 200V V(RRM), Silicon, MODULE-3/2
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1 1
包装说明 - MODULE-3 MODULE-3 R-PSSO-G2
其他特性 - FREE WHEELING DIODE FREE WHEELING DIODE FREE WHEELING DIODE
应用 - GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 - CATHODE CATHODE CATHODE
配置 - COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 - SILICON SILICON SILICON
最大正向电压 (VF) - 0.92 V 0.92 V 0.92 V
JESD-30 代码 - R-PSIP-T3 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流 - 708 A 708 A 708 A
元件数量 - 2 2 2
相数 - 1 1 1
端子数量 - 3 3 2
最高工作温度 - 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 - -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - IN-LINE FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压 - 200 V 200 V 200 V
最大反向电流 - 1500 µA 1500 µA 1500 µA
表面贴装 - NO NO YES
技术 - SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 - SINGLE SINGLE SINGLE
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