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IRFR9120TR

产品描述Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小173KB,共6页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRFR9120TR概述

Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IRFR9120TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.6 A
最大漏极电流 (ID)5.6 A
最大漏源导通电阻0.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值42 W
最大功率耗散 (Abs)42 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRFR9120TR相似产品对比

IRFR9120TR IRFR9120TRR IRFR9120TRL
描述 Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 5.6 A 5.6 A 5.6 A
最大漏源导通电阻 0.6 Ω 0.6 Ω 0.6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA TO-252AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0 e0
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
功耗环境最大值 42 W 42 W 42 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
雪崩能效等级(Eas) - 210 mJ 210 mJ
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 22 A 22 A
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