IS61C256AH-12JI,IS61C256AH-12JI pdf中文资料,IS61C256AH-12JI引脚图,IS61C256AH-12JI电路-Datasheet-电子工程世界

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IS61C256AH-12JI: 产品描述Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28; 产品类别存储存储; 文件大小40KB，共8页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61C256AH-12JI概述

Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

IS61C256AH-12JI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	SOJ
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
针数	28
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	12 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J28
JESD-609代码	e0
长度	18.161 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ28,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.556 mm
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	4.75 V
最大压摆率	0.165 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.59 mm
Base Number Matches	1

IS61C256AH-12JI相似产品对比

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描述	Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28	Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28	Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	SOJ	SOJ	TSOP	TSOP	TSOP	SOJ	TSOP	SOJ
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	TSOP1-28	TSOP1-28	TSOP1-28	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	TSOP1-28	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
针数	28	28	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	compliant	compliant	unknown	unknown	compliant	unknown	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	3A991	EAR99	EAR99
最长访问时间	12 ns	12 ns	20 ns	20 ns	15 ns	20 ns	12 ns	15 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-J28	R-PDSO-G28	R-PDSO-J28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	18.161 mm	18.161 mm	11.8 mm	11.8 mm	11.8 mm	18.161 mm	11.8 mm	18.161 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bi	262144 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	TSOP1	TSOP1	TSOP1	SOJ	TSOP1	SOJ
封装等效代码	SOJ28,.34	SOJ28,.34	TSSOP28,.53,22	TSSOP28,.53,22	TSSOP28,.53,22	SOJ28,.34	TSSOP28,.53,22	SOJ28,.34
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	240	240	NOT SPECIFIED	240	240	240	240
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.556 mm	3.556 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	3.556 mm	1.2 mm	3.556 mm
最大待机电流	0.01 A	0.002 A	0.01 A	0.002 A	0.01 A	0.002 A	0.01 A	0.002 A
最小待机电流	4.75 V	4.75 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.75 V	4.5 V
最大压摆率	0.165 mA	0.155 mA	0.145 mA	0.135 mA	0.155 mA	0.135 mA	0.165 mA	0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.25 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.75 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	J BEND	GULL WING	GULL WING	GULL WING	J BEND	GULL WING	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	0.55 mm	0.55 mm	0.55 mm	1.27 mm	0.55 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	10	30	NOT SPECIFIED	30	10	30	10
宽度	7.59 mm	7.59 mm	8 mm	8 mm	8 mm	7.59 mm	8 mm	7.59 mm
厂商名称	-	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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