LF411MD8放大器基础信息:
LF411MD8是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIE, DIE OR CHIP
LF411MD8放大器核心信息:
LF411MD8的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为26025℃下的最大偏置电流为:0.0002 µA他的最大平均偏置电流为0.0002 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为0.025 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,LF411MD8的标称压摆率有15 V/us。厂商给出的LF411MD8的最大压摆率为3.4 mA,而最小压摆率为8 V/us。其最小电压增益为15000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,LF411MD8增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为4000 kHz。
LF411MD8的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。LF411MD8的输入失调电压为2000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
LF411MD8的相关尺寸:
其端子位置类型为:UPPER。
LF411MD8放大器其他信息:
LF411MD8采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。LF411MD8的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。
而其湿度敏感等级为:1。LF411MD8不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:X-XUUC-N。LF411MD8的封装代码是:DIE。LF411MD8封装的材料多为UNSPECIFIED。
而其封装形状为UNSPECIFIED。LF411MD8封装引脚的形式有:UNCASED CHIP。其端子形式有:NO LEAD。
LF411MD8放大器基础信息:
LF411MD8是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIE, DIE OR CHIP
LF411MD8放大器核心信息:
LF411MD8的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为26025℃下的最大偏置电流为:0.0002 µA他的最大平均偏置电流为0.0002 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为0.025 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,LF411MD8的标称压摆率有15 V/us。厂商给出的LF411MD8的最大压摆率为3.4 mA,而最小压摆率为8 V/us。其最小电压增益为15000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,LF411MD8增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为4000 kHz。
LF411MD8的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。LF411MD8的输入失调电压为2000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
LF411MD8的相关尺寸:
其端子位置类型为:UPPER。
LF411MD8放大器其他信息:
LF411MD8采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。LF411MD8的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。
而其湿度敏感等级为:1。LF411MD8不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:X-XUUC-N。LF411MD8的封装代码是:DIE。LF411MD8封装的材料多为UNSPECIFIED。
而其封装形状为UNSPECIFIED。LF411MD8封装引脚的形式有:UNCASED CHIP。其端子形式有:NO LEAD。
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | National Semiconductor(TI ) |
零件包装代码 | WAFER |
包装说明 | DIE, DIE OR CHIP |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0002 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0002 µA |
标称共模抑制比 | 100 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电流 (IIO) | 0.025 µA |
最大输入失调电压 | 2000 µV |
JESD-30 代码 | X-XUUC-N |
低-偏置 | YES |
低-失调 | NO |
湿度敏感等级 | 1 |
负供电电压上限 | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
功能数量 | 1 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIE |
封装等效代码 | DIE OR CHIP |
封装形状 | UNSPECIFIED |
封装形式 | UNCASED CHIP |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 |
最小摆率 | 8 V/us |
标称压摆率 | 15 V/us |
最大压摆率 | 3.4 mA |
供电电压上限 | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | YES |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
标称均一增益带宽 | 4000 kHz |
最小电压增益 | 15000 |
Base Number Matches | 1 |
LF411MD8 | |
---|---|
描述 | IC OP-AMP, 2000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, UUC, DIE, Operational Amplifier |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | National Semiconductor(TI ) |
零件包装代码 | WAFER |
包装说明 | DIE, DIE OR CHIP |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0002 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0002 µA |
标称共模抑制比 | 100 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电流 (IIO) | 0.025 µA |
最大输入失调电压 | 2000 µV |
JESD-30 代码 | X-XUUC-N |
低-偏置 | YES |
低-失调 | NO |
湿度敏感等级 | 1 |
负供电电压上限 | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
功能数量 | 1 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIE |
封装等效代码 | DIE OR CHIP |
封装形状 | UNSPECIFIED |
封装形式 | UNCASED CHIP |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 |
最小摆率 | 8 V/us |
标称压摆率 | 15 V/us |
最大压摆率 | 3.4 mA |
供电电压上限 | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | YES |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
标称均一增益带宽 | 4000 kHz |
最小电压增益 | 15000 |
Base Number Matches | 1 |
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