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LF411MD8

产品描述

LF411MD8放大器基础信息:

LF411MD8是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIE, DIE OR CHIP

LF411MD8放大器核心信息:

LF411MD8的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为26025℃下的最大偏置电流为:0.0002 µA他的最大平均偏置电流为0.0002 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为0.025 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,LF411MD8的标称压摆率有15 V/us。厂商给出的LF411MD8的最大压摆率为3.4 mA,而最小压摆率为8 V/us。其最小电压增益为15000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,LF411MD8增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为4000 kHz。

LF411MD8的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。LF411MD8的输入失调电压为2000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

LF411MD8的相关尺寸:

其端子位置类型为:UPPER。

LF411MD8放大器其他信息:

LF411MD8采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。LF411MD8的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。

而其湿度敏感等级为:1。LF411MD8不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:X-XUUC-N。LF411MD8的封装代码是:DIE。LF411MD8封装的材料多为UNSPECIFIED。

而其封装形状为UNSPECIFIED。LF411MD8封装引脚的形式有:UNCASED CHIP。其端子形式有:NO LEAD。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小546KB,共14页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
标准
器件替换:LF411MD8替换放大器
敬请期待 详细参数 选型对比

LF411MD8概述

LF411MD8放大器基础信息:

LF411MD8是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIE, DIE OR CHIP

LF411MD8放大器核心信息:

LF411MD8的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为26025℃下的最大偏置电流为:0.0002 µA他的最大平均偏置电流为0.0002 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为0.025 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,LF411MD8的标称压摆率有15 V/us。厂商给出的LF411MD8的最大压摆率为3.4 mA,而最小压摆率为8 V/us。其最小电压增益为15000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,LF411MD8增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为4000 kHz。

LF411MD8的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。LF411MD8的输入失调电压为2000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

LF411MD8的相关尺寸:

其端子位置类型为:UPPER。

LF411MD8放大器其他信息:

LF411MD8采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。LF411MD8的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。

而其湿度敏感等级为:1。LF411MD8不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:X-XUUC-N。LF411MD8的封装代码是:DIE。LF411MD8封装的材料多为UNSPECIFIED。

而其封装形状为UNSPECIFIED。LF411MD8封装引脚的形式有:UNCASED CHIP。其端子形式有:NO LEAD。

LF411MD8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
零件包装代码WAFER
包装说明DIE, DIE OR CHIP
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.0002 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.0002 µA
标称共模抑制比100 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.025 µA
最大输入失调电压2000 µV
JESD-30 代码X-XUUC-N
低-偏置YES
低-失调NO
湿度敏感等级1
负供电电压上限-18 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量1
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIE
封装等效代码DIE OR CHIP
封装形状UNSPECIFIED
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)260
电源+-15 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
最小摆率8 V/us
标称压摆率15 V/us
最大压摆率3.4 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间40
标称均一增益带宽4000 kHz
最小电压增益15000
Base Number Matches1

LF411MD8相似产品对比

LF411MD8
描述 IC OP-AMP, 2000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, UUC, DIE, Operational Amplifier
是否Rohs认证 符合
厂商名称 National Semiconductor(TI )
零件包装代码 WAFER
包装说明 DIE, DIE OR CHIP
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.0002 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.0002 µA
标称共模抑制比 100 dB
频率补偿 YES
最大输入失调电流 (IIO) 0.025 µA
最大输入失调电压 2000 µV
JESD-30 代码 X-XUUC-N
低-偏置 YES
低-失调 NO
湿度敏感等级 1
负供电电压上限 -18 V
标称负供电电压 (Vsup) -15 V
功能数量 1
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装代码 DIE
封装等效代码 DIE OR CHIP
封装形状 UNSPECIFIED
封装形式 UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) 260
电源 +-15 V
认证状态 Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883
最小摆率 8 V/us
标称压摆率 15 V/us
最大压摆率 3.4 mA
供电电压上限 18 V
标称供电电压 (Vsup) 15 V
表面贴装 YES
技术 BIPOLAR
温度等级 MILITARY
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 40
标称均一增益带宽 4000 kHz
最小电压增益 15000
Base Number Matches 1
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