JS28F640J3D75B,JS28F640J3D75B pdf中文资料,JS28F640J3D75B引脚图,JS28F640J3D75B电路-Datasheet-电子工程世界

JS28F640J3D75B: 产品描述Flash, 4MX16, 75ns, PDSO56; 产品类别存储存储; 文件大小823KB，共66页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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JS28F640J3D75B概述

Flash, 4MX16, 75ns, PDSO56

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Micron Technology
包装说明	TSSOP, TSSOP56,.8,20
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	75 ns
备用内存宽度	8
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PDSO-G56
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
部门数/规模	64
端子数量	56
字数	4194304 words
字数代码	4000000
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP56,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小	4/8 words
并行/串行	PARALLEL
电源	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
部门规模	128K
最大待机电流	0.00012 A
最大压摆率	0.054 mA
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
切换位	NO
类型	NOR TYPE
Base Number Matches	1

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ