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5962R9578301VXC

产品描述HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, CDFP14, METAL SEALED, CERAMIC, DFP-14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小158KB,共23页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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5962R9578301VXC概述

HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, CDFP14, METAL SEALED, CERAMIC, DFP-14

5962R9578301VXC规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL14,.3
针数14
Reach Compliance Codecompliant
其他特性RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列HC/UH
JESD-30 代码R-CDFP-F14
JESD-609代码e4
长度9.525 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型XOR GATE
最大I(ol)0.004 A
功能数量4
输入次数2
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup22 ns
传播延迟(tpd)20 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
筛选级别38535V;38534K;883S
座面最大高度2.92 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
总剂量100k Rad(Si) V
宽度6.285 mm
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
DESCRIPTION
Changes made in accordance with NOR 5962-R121-98
DATE (YR-MO-DA)
98-06-12
APPROVED
Raymond L. Monnin
B
Incorporate revision A. Update boilerplate to MIL-PRF-38535 requirements.
Editorial changes throughout. – LTG
04-02-26
Thomas M. Hess
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
B
15
B
16
B
17
B
18
REV
SHEET
PREPARED BY
Thanh V. Nguyen
B
19
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1
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12
B
13
B
14
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
CHECKED BY
Thanh V. Nguyen
APPROVED BY
Monica L. Poelking
DRAWING APPROVAL DATE
95-09-15
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43216
http://www.dscc.dla.mil
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION
HARDENED, HIGH SPEED CMOS, QUAD 2-INPUT
EXCLUSIVE OR GATE, MONOLITHIC SILICON
AMSC N/A
REVISION LEVEL
SIZE
CAGE CODE
B
A
SHEET
67268
1 OF
22
5962-95783
DSCC FORM 2233
APR 97
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.
5962-E155-04

5962R9578301VXC相似产品对比

5962R9578301VXC 5962R9578301V9A 5962R9578301VCC
描述 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, CDFP14, METAL SEALED, CERAMIC, DFP-14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, UUC14, 2.20 X 2.24 MM, DIE-14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, CDIP14, METAL SEALED, CERAMIC, DIP-14
零件包装代码 DFP DIE DIP
包装说明 DFP, FL14,.3 DIE, DIP, DIP14,.3
针数 14 14 14
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
系列 HC/UH HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 R-CDFP-F14 R-XUUC-N14 R-CDIP-T14
逻辑集成电路类型 XOR GATE XOR GATE XOR GATE
功能数量 4 4 4
输入次数 2 2 2
端子数量 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DFP DIE DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK UNCASED CHIP IN-LINE
传播延迟(tpd) 20 ns 20 ns 20 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 FLAT NO LEAD THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL UPPER DUAL
总剂量 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V
Base Number Matches 1 1 1
其他特性 RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY - RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
JESD-609代码 e4 - e4
长度 9.525 mm - 19.43 mm
负载电容(CL) 50 pF - 50 pF
最大I(ol) 0.004 A - 0.004 A
封装等效代码 FL14,.3 - DIP14,.3
电源 5 V - 5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 22 ns - 22 ns
施密特触发器 NO - NO
筛选级别 38535V;38534K;883S - 38535V;38534K;883S
座面最大高度 2.92 mm - 5.08 mm
端子面层 GOLD - GOLD
端子节距 1.27 mm - 2.54 mm
宽度 6.285 mm - 7.62 mm
不知哪天就用到了
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:08 编辑 内附连接、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、 ...
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