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LTC1100CS

产品描述INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小216KB,共8页
制造商Linear ( ADI )
官网地址http://www.analog.com/cn/index.html
相似器件已查找到1个与LTC1100CS功能相似器件
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LTC1100CS概述

INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8

仪表放大器, 10 uV 最大补偿, 0.018 MHz 波段 宽度, PDIP8

LTC1100CS规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Linear ( ADI )
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP16,.25
针数16
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
放大器类型INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)0.000065 µA
标称带宽 (3dB)0.018 MHz
最小共模抑制比90 dB
最大输入失调电流 (IIO)0.000065 µA
最大输入失调电压10 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G16
JESD-609代码e0
长度10.3 mm
负供电电压上限-9 V
标称负供电电压 (Vsup)-5 V
最大非线性0.006%
功能数量1
端子数量16
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP16,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
电源+-5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.65 mm
最大压摆率3.3 mA
供电电压上限9 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压增益100
最小电压增益10
宽度7.5 mm

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LTC1100
Precision, Chopper-Stabilized
Instrumentation Amplifier
FEATURES
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
Offset Voltage: 10µV Max
Offset Voltage Drift: 50nV/°C Max
Bias Current: 50pA Max
Offset Current: 50pA Max
Gain Nonlinearity: 8ppm Max
Gain Error:
±0.05%
Max
CMRR: 104dB
0.1Hz to 10Hz Noise: 2µV
P-P
Single 5V Supply Operation
8-Pin MiniDIP
The LTC1100 is a high precision instrumentation ampli-
fier using chopper-stabilization techniques to achieve
outstanding DC performance. The input DC offset is
typically 1µV while the DC offset drift is typically 10nV/°C;
a very low bias current of 50pA is also achieved.
The LTC1100 is self-contained; that is, it achieves a differ-
ential gain of 100 without any external gain setting resistor
or trim pot. The gain linearity is 8ppm and the gain drift is
4ppm/°C. The LTC1100 operates from a single 5V supply
up to
±8V.
The output typically swings 300mV from its
power supply rails with a 10k load.
An optional external capacitor can be added from pin 7 to
pin 8 to tailor the device’s 18kHz bandwidth and to
eliminate any unwanted noise pickup.
The LTC1100 is also offered in a 16-pin surface mount
package with selectable gains of 10 or 100.
The LTC1100 is manufactured using Linear Technology’s
enhanced LTCMOS
TM
silicon gate process.
LTCMOS is a trademark of Linear Technology Corporation
APPLICATI
s
s
s
S
Thermocouple Amplifiers
Strain Gauge Amplifiers
Differential to Single-Ended Converters
TYPICAL APPLICATI
Single 5V Supply, DC Instrumentation Amplifier
1
2
–V
IN
3
4
LTC1100
8
7
6
5
0.01µF
V
IN
V
OUT
V
+
= 5V
0.1µF
V
OUT
= 100 [V
IN
– (–V
IN
)]
LTC1100 • TA01
U
UO
UO
1

LTC1100CS相似产品对比

LTC1100CS LTC1100M LTC1100C LTC1100AM LTC1100ACS LTC1100AC LTC1100ACN8
描述 INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8 INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8 INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8 INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8 INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8 INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8 INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8
放大器类型 INSTRUMENTATION AMPLIFIER 仪表放大器 仪表放大器 仪表放大器 INSTRUMENTATION AMPLIFIER 仪表放大器 INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最小共模抑制比 90 dB 90 dB 90 dB 90 dB 104 dB 90 dB 104 dB
最大输入失调电压 10 µV 10 mV 10 mV 10 mV 10 µV 10 mV 10 µV
最大非线性 0.006% 0.0060 % 0.0060 % 0.0060 % 0.003% 0.0060 % 0.003%
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 16 8 8 8 16 8 8
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING THROUGH-孔 THROUGH-孔 THROUGH-孔 GULL WING THROUGH-孔 THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL
最大电压增益 100 100 100 100 100 100 100
最小电压增益 10 10 10 10 10 10 10
最大供电/工作电压 - 9 V 9 V 9 V - 9 V -
最大工作温度 - 85 Cel 85 Cel 85 Cel - 85 Cel -
最小工作温度 - -40 Cel -40 Cel -40 Cel - -40 Cel -
额定供电电压 - 5 V 5 V 5 V - 5 V -
最大负供电电压 - -9 V -9 V -9 V - -9 V -
额定负供电电压 - -5 V -5 V -5 V - -5 V -
额定带宽 - 0.0180 kHz 0.0180 kHz 0.0180 kHz - 0.0180 kHz -
加工封装描述 - 0.300 INCH, 塑料, DIP-8 0.300 INCH, 塑料, DIP-8 0.300 INCH, 塑料, DIP-8 - 0.300 INCH, 塑料, DIP-8 -
状态 - ACTIVE ACTIVE ACTIVE - ACTIVE -
工艺 - CMOS CMOS CMOS - CMOS -
包装形状 - 矩形的 矩形的 矩形的 - 矩形的 -
包装尺寸 - IN-线 IN-线 IN-线 - IN-线 -
端子间距 - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm - 2.54 mm -
端子涂层 - 锡 铅 锡 铅 锡 铅 - 锡 铅 -
包装材料 - 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 - 塑料/环氧树脂 -
最大alpha vios - 0.1000 uV/Cel 0.1000 uV/Cel 0.1000 uV/Cel - 0.1000 uV/Cel -
最大输入偏置电流IIB - 1.35E-4 uA 1.35E-4 uA 1.35E-4 uA - 1.35E-4 uA -
最大输入失调电流IIO - 6.50E-5 uA 6.50E-5 uA 6.50E-5 uA - 6.50E-5 uA -

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