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HB52RD648DC-A6B: 产品描述Synchronous DRAM Module, 64MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144; 产品类别存储存储; 文件大小175KB，共20页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en

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HB52RD648DC-A6B概述

Synchronous DRAM Module, 64MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144

HB52RD648DC-A6B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM144,32
针数	144
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C
最低工作温度
组织	64MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.032 A
最大压摆率	2 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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HB52RF648DC-B, HB52RD648DC-B

512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM

64-Mword

64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module

(16 pcs of 32 M

8 components)

PC133/100 SDRAM

E0083H40 (Ver. 4.0)

Nov. 16, 2001 (K) Japan

Description

The HB52RF648DC, HB52RD648DC are a 32M

2 banks Synchronous Dynamic RAM Small Outline

Dual In-line Memory Module (S.O.DIMM), mounted 16 pieces of 256-Mbit SDRAM (HM5225805BTB)

sealed in TCP package and 1 piece of serial EEPROM (2-kbit) for Presence Detect (PD). An outline of the

products is 144-pin Zig Zag Dual tabs socket type compact and thin package. Therefore, they make high

density mounting possible without surface mount technology. They provide common data inputs and outputs.

Decoupling capacitors are mounted beside TCP on the module board.

Note: Do not push the cover or drop the modules in order to protect from mechanical defects, which would

be electrical defects.

Features

•

Fully compatible with: JEDEC standard outline 8-byte S.O.DIMM

•

144-pin Zig Zag Dual tabs socket type (dual lead out)



Outline: 67.60 mm (Length)

31.75 mm (Height)

3.80 mm (Thickness)



Lead pitch: 0.80 mm

•

3.3 V power supply

•

Clock frequency: 133/100 MHz (max)

•

LVTTL interface

•

Data bus width:

64 Non parity

•

Single pulsed

RAS

•

4 Banks can operates simultaneously and independently

•

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

•

Programmable burst length : 1/2/4/8

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

HB52RD648DC-A6B相似产品对比

	HB52RD648DC-A6B	HB52RD648DC-A6BL	HB52RF648DC-75B	HB52RD648DC-B6B	HB52RD648DC-B6BL	HB52RF648DC-75BL
描述	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, SODIMM-144
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32
针数	144	144	144	144	144	144
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns	6 ns	5.4 ns	6 ns	6 ns	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	100 MHz	133 MHz	100 MHz	100 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144
内存密度	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	144	144	144	144	144	144
字数	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C
组织	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225	225
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.032 A	0.032 A	0.032 A	0.032 A	0.032 A	0.032 A
最大压摆率	2 mA	2 mA	2 mA	2 mA	2 mA	2 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

HB52RD648DC-A6B

HB52RD648DC-A6B概述

HB52RD648DC-A6B规格参数

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