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ISL9N7030BLP3

产品描述30V, 0.009 Ohm, 75A, N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小195KB,共10页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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ISL9N7030BLP3概述

30V, 0.009 Ohm, 75A, N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs

ISL9N7030BLP3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)15 A
最大漏极电流 (ID)75 A
最大漏源导通电阻0.012 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)100 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

ISL9N7030BLP3相似产品对比

ISL9N7030BLP3 ISL9N7030BLS3ST
描述 30V, 0.009 Ohm, 75A, N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 0.009 Ohm, 75A, N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 15 A 15 A
最大漏极电流 (ID) 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.012 Ω 0.012 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 100 W 100 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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