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1N486BTR

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小65KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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1N486BTR概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, DO-35

1N486BTR规格参数

参数名称属性值
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压250 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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Central
TM
Semiconductor Corp.
145 Adams Avenue
Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824
www.centralsemi.com

1N486BTR相似产品对比

1N486BTR 1N486BBK
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, DO-35 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, DO-35
包装说明 O-XALF-W2 O-XALF-W2
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-35 DO-35
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
最大功率耗散 0.5 W 0.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 250 V 250 V
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1

 
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