KM41C4000CLTR-8,KM41C4000CLTR-8 pdf中文资料,KM41C4000CLTR-8引脚图,KM41C4000CLTR-8电路-Datasheet-电子工程世界

KM41C4000CLTR-8: 产品描述Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-20; 产品类别存储存储; 文件大小255KB，共8页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KM41C4000CLTR-8概述

Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-20

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP2-R, TSSOP20/26,.36
针数	20
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDSO-G20
JESD-609代码	e0
长度	17.14 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	20
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2-R
封装等效代码	TSSOP20/26,.36
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
反向引出线	YES
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.0002 A
最大压摆率	0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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