Cache SRAM, 64KX64, 5ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, QFP-128
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QFP |
| 包装说明 | PLASTIC, QFP-128 |
| 针数 | 128 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 5 ns |
| 其他特性 | SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE; LINEAR/INTERLEAVED BURST SEQUENCE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 100 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G128 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 20 mm |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 64 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 128 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64KX64 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | FQFP |
| 封装等效代码 | QFP128,.67X.93,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
| 电源 | 2.5,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.4 mm |
| 最大待机电流 | 0.005 A |
| 最小待机电流 | 3.14 V |
| 最大压摆率 | 0.25 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 14 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| IS61LV6464-5PQ | IS61LV6464-5TQ | |
|---|---|---|
| 描述 | Cache SRAM, 64KX64, 5ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, QFP-128 | Cache SRAM, 64KX64, 5ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, TQFP-128 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QFP | QFP |
| 包装说明 | PLASTIC, QFP-128 | 14 X 20 MM, TQFP-128 |
| 针数 | 128 | 128 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 5 ns | 5 ns |
| 其他特性 | SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE; LINEAR/INTERLEAVED BURST SEQUENCE | SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE; LINEAR/INTERLEAVED BURST SEQUENCE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 100 MHz | 100 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G128 | R-PQFP-G128 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 20 mm | 20 mm |
| 内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 64 | 64 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 128 | 128 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 64KX64 | 64KX64 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | FQFP | LFQFP |
| 封装等效代码 | QFP128,.67X.93,20 | QFP128,.63X.87,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK, FINE PITCH | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 240 | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 2.5,3.3 V | 2.5,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.4 mm | 1.6 mm |
| 最大待机电流 | 0.005 A | 0.005 A |
| 最小待机电流 | 3.14 V | 3.14 V |
| 最大压摆率 | 0.25 mA | 0.25 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.63 V | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 14 mm | 14 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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