Power Field-Effect Transistor
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
包装说明 | DFN5060-8, 8 PIN |
Reach Compliance Code | compliant |
雪崩能效等级(Eas) | 140 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2 A |
最大漏极电流 (ID) | 2 A |
最大漏源导通电阻 | 5 Ω |
最大反馈电容 (Crss) | 13 pF |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N5 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 5 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
最大功率耗散 (Abs) | 22 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 8 A |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 180 ns |
最大开启时间(吨) | 115 ns |
Base Number Matches | 1 |
2N60L-K08-5060-R | 2N60G-K08-5060-R | |
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描述 | Power Field-Effect Transistor | Power Field-Effect Transistor |
厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
Reach Compliance Code | compliant | unknown |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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