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2N60L-K08-5060-R

产品描述Power Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小269KB,共8页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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2N60L-K08-5060-R概述

Power Field-Effect Transistor

2N60L-K08-5060-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明DFN5060-8, 8 PIN
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)140 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2 A
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻5 Ω
最大反馈电容 (Crss)13 pF
JESD-30 代码R-PDSO-N5
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散 (Abs)22 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)8 A
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)180 ns
最大开启时间(吨)115 ns
Base Number Matches1

2N60L-K08-5060-R相似产品对比

2N60L-K08-5060-R 2N60G-K08-5060-R
描述 Power Field-Effect Transistor Power Field-Effect Transistor
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
Reach Compliance Code compliant unknown
Base Number Matches 1 1
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