IH5112MDE放大器基础信息：
IH5112MDE是一款SAMPLE AND HOLD CIRCUIT。常用的包装方式为DIP,
IH5112MDE放大器核心信息：
IH5112MDE的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED
IH5112MDE的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。IH5112MDE的宽度为：7.62 mm。
IH5112MDE的相关尺寸：
IH5112MDE拥有16个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：16
IH5112MDE放大器其他信息：
其温度等级为：MILITARY。IH5112MDE不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-CDIP-T16。其对应的的JESD-609代码为：e0。IH5112MDE的封装代码是：DIP。
IH5112MDE封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。IH5112MDE封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
IH5112MDE放大器基础信息：
IH5112MDE是一款SAMPLE AND HOLD CIRCUIT。常用的包装方式为DIP,
IH5112MDE放大器核心信息：
IH5112MDE的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED
IH5112MDE的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。IH5112MDE的宽度为：7.62 mm。
IH5112MDE的相关尺寸：
IH5112MDE拥有16个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：16
IH5112MDE放大器其他信息：
其温度等级为：MILITARY。IH5112MDE不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-CDIP-T16。其对应的的JESD-609代码为：e0。IH5112MDE的封装代码是：DIP。
IH5112MDE封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。IH5112MDE封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长采集时间 | 35 µs |
| 标称采集时间 | 25 µs |
| 放大器类型 | SAMPLE AND HOLD CIRCUIT |
| 最大模拟输入电压 | 7.5 V |
| 最小模拟输入电压 | -7.5 V |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负供电电压上限 | -16 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 采样并保持/跟踪并保持 | SAMPLE |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 供电电压上限 | 16 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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