Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 5082-3188

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5082-3188: 产品描述Pin Diode, 35V V(BR), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小15KB，共1页; 制造商Advanced Semiconductor, Inc.

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5082-3188概述

Pin Diode, 35V V(BR), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

5082-3188规格参数

参数名称	属性值
包装说明	O-LALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
应用	SWITCHING
最小击穿电压	35 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
最大二极管电容	1 pF
二极管元件材料	SILICON
最大二极管正向电阻	0.6 Ω
二极管电阻测试电流	10 mA
二极管电阻测试频率	100 MHz
二极管类型	PIN DIODE
频带	VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码	O-LALF-W2
少数载流子标称寿命	0.07 µs
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	200 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
技术	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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5082-3188

BAND SWITCHING PIN DIODE

DESCRIPTION:

The

ASI 5082-3188

is a Switching

Diode Designed for low power

Applications such as RF duplexers,

antenna switching matrices, and time

multiplex filters, Optimized for

VHF/UHF band switching.

PACKAGE STYLE 01A

FEATURES INCLUDE:

•

Low series resistance

•

Low capacitance

•

Hermetic Glass Package

MAXIMUM RATINGS

DISS

STG

100 mA

35 V

250 mW @ T

= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

0.6

C /mW

CHARACTERISTICS

SYMBOL

= 10

µA

= 20 V

= 10 mA

= 10 V

= 25 °C

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM

f = 1.0 MHz

f = 100 MHz

1.0

0.6

UNITS

Ω

= 6.0 mA

= 20 mA

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE

•

NORTH HOLLYWOOD, CA 91605

•

(818) 982-1200

•

FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without

REV.

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