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70T3589S166DRI8

产品描述Multi-Port SRAM, 64KX36, 12ns, CMOS, PQFP208
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文件大小303KB,共28页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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70T3589S166DRI8概述

Multi-Port SRAM, 64KX36, 12ns, CMOS, PQFP208

70T3589S166DRI8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991
最长访问时间12 ns
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G208
JESD-609代码e0
内存密度2359296 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度36
端口数量2
端子数量208
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装等效代码QFP208,1.2SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5,2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.02 A
最小待机电流2.4 V
最大压摆率0.51 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1
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