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2SB1245

产品描述SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小282KB,共2页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SB1245概述

SMALL SIGNAL TRANSISTOR

2SB1245规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)320
JESD-30 代码O-PBCY-W3
JESD-609代码e0
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.9 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
标称过渡频率 (fT)140 MHz
Base Number Matches1

2SB1245相似产品对比

2SB1245 2SB1244
描述 SMALL SIGNAL TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 320 320
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.9 W 0.9 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
标称过渡频率 (fT) 140 MHz 140 MHz
Base Number Matches 1 1
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