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IRLWI620A

产品描述Advanced Power MOSFET
文件大小222KB,共7页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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IRLWI620A概述

Advanced Power MOSFET

IRLWI620A相似产品对比

IRLWI620A IRLI620A IRLW620A
描述 Advanced Power MOSFET ADVANCED POWER MOSFET ADVANCED POWER MOSFET
是否Rohs认证 - 不符合 不符合
零件包装代码 - TO-262AA D2PAK
包装说明 - IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 - 3 3
Reach Compliance Code - unknow unknow
ECCN代码 - EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) - 29 mJ 29 mJ
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 200 V 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 5 A 5 A
最大漏极电流 (ID) - 3.3 A 3.3 A
最大漏源导通电阻 - 0.8 Ω 0.8 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 - TO-262AA TO-263AB
JESD-30 代码 - R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 - e0 e0
元件数量 - 1 1
端子数量 - 3 2
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) - 39 W 39 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 12 A 12 A
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - NO YES
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 - SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
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