Advanced Power MOSFET
IRLWI620A | IRLI620A | IRLW620A | |
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描述 | Advanced Power MOSFET | ADVANCED POWER MOSFET | ADVANCED POWER MOSFET |
是否Rohs认证 | - | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | - | TO-262AA | D2PAK |
包装说明 | - | IN-LINE, R-PSIP-T3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | - | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | - | unknow | unknow |
ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | - | 29 mJ | 29 mJ |
配置 | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | - | 200 V | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | - | 5 A | 5 A |
最大漏极电流 (ID) | - | 3.3 A | 3.3 A |
最大漏源导通电阻 | - | 0.8 Ω | 0.8 Ω |
FET 技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | - | TO-262AA | TO-263AB |
JESD-30 代码 | - | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | - | e0 | e0 |
元件数量 | - | 1 | 1 |
端子数量 | - | 3 | 2 |
工作模式 | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | - | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | - | 39 W | 39 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | - | 12 A | 12 A |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | - | NO | YES |
端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | - | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子位置 | - | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | - | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
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