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IRLS640A

产品描述9.8 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小254KB,共7页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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IRLS640A在线购买

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IRLS640A概述

9.8 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

9.8 A, 200 V, 0.18 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

IRLS640A规格参数

参数名称属性值
Brand NameFairchild Semiconduc
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-220F
包装说明TO-220F, 3 PIN
针数3
制造商包装代码TO220, MOLDED, 3LD, FULL PACK, EIAJ SC91, STRAIGHT LEAD
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)64 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)9.8 A
最大漏极电流 (ID)9.8 A
最大漏源导通电阻0.18 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)63 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
c6000的中断过程描述 及编程
1.上电复位,产生复位中断请求,上电中断无需确认,直接执行。2.STWB0,*--B15;进行现场保护3.MVKLaddr,B0;MVKHaddr,B0;载入中断向量表,将中断向量表送入程序指针。4.BB0;跳转至 B0 中存储的地址,执行中断向量表。5.执行_c_int00 进行初始化6.跳转至 main()执行 csl 函数,IO口,定时器等初始化。7.执行 while 循环。8.定时时间到,...
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