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5962R9576901VEC

产品描述HCT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED J-KBAR FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP16
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小223KB,共9页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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5962R9576901VEC概述

HCT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED J-KBAR FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP16

5962R9576901VEC规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP16,.3
针数16
Reach Compliance Codeunknown
系列HCT
JESD-30 代码R-CDIP-T16
JESD-609代码e4
长度19.05 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型J-KBAR FLIP-FLOP
最大I(ol)0.004 A
位数2
功能数量2
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出极性COMPLEMENTARY
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup35 ns
传播延迟(tpd)35 ns
认证状态Not Qualified
筛选级别38535V;38534K;883S
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量100k Rad(Si) V
触发器类型POSITIVE EDGE
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

5962R9576901VEC相似产品对比

5962R9576901VEC 5962R9576901V9A 5962R9576901VXC
描述 HCT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED J-KBAR FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP16 HCT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED J-KBAR FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, UUC16, 0.089 X 0.088 INCH, DIE-16 HCT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED J-KBAR FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDFP16, METAL SEALED, CERAMIC, FP-16
零件包装代码 DIP DIE DFP
包装说明 DIP, DIP16,.3 DIE, DFP, FL16,.3
针数 16 16 16
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
系列 HCT HCT HCT
JESD-30 代码 R-CDIP-T16 R-XUUC-N16 R-CDFP-F16
JESD-609代码 e4 e0 e4
逻辑集成电路类型 J-KBAR FLIP-FLOP J-KBAR FLIP-FLOP J-KBAR FLIP-FLOP
位数 2 2 2
功能数量 2 2 2
端子数量 16 16 16
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
输出极性 COMPLEMENTARY COMPLEMENTARY COMPLEMENTARY
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DIE DFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE UNCASED CHIP FLATPACK
传播延迟(tpd) 35 ns 35 ns 35 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 GOLD TIN LEAD GOLD
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD FLAT
端子位置 DUAL UPPER DUAL
总剂量 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V
触发器类型 POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE
Base Number Matches 1 1 1
负载电容(CL) 50 pF - 50 pF
最大I(ol) 0.004 A - 0.004 A
封装等效代码 DIP16,.3 - FL16,.3
电源 5 V - 5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 35 ns - 35 ns
筛选级别 38535V;38534K;883S - 38535V;38534K;883S
座面最大高度 5.08 mm - 2.92 mm
端子节距 2.54 mm - 1.27 mm
宽度 7.62 mm - 6.73 mm
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