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HB526C264EN-10IN

产品描述Synchronous DRAM Module, 2MX64, 9ns, CMOS, 133.37 X 2.92 MM, 31.75 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168
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文件大小542KB,共59页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB526C264EN-10IN概述

Synchronous DRAM Module, 2MX64, 9ns, CMOS, 133.37 X 2.92 MM, 31.75 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168

HB526C264EN-10IN规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间9 ns
最大时钟频率 (fCLK)66 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度65 °C
最低工作温度
组织2MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
最大待机电流0.016 A
最大压摆率0.8 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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HB526C264EN-10IN,
HB526C464EN-10IN
1,048,576-word
×
64-bit
×
2-bank Synchronous Dynamic RAM
Module
1,048,576-word
×
64-bit
×
4-bank Synchronous Dynamic RAM
Module
ADE-203-737B (Z)
Rev. 2.0
Mar. 14, 1997
Description
The HB526C264EN, HB526C464EN belong to 8-byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family,
and have been developed as an optimized main memory solution for 8-byte processor applications. The
HB526C264EN is a 1M
×
64
×
2-bank Synchronous Dynamic RAM Module, mounted 8 pieces of 16-
Mbit SDRAM (HM5216805TT) sealed in TSOP package and 1 piece of serial EEPROM (24C02) for
Presence Detect (PD). The HB526C464EN is a 1M
×
64
×
4-bank Synchronous Dynamic RAM Module,
mounted 16 pieces of 16-Mbit SDRAM (HM5216805TT) sealed in TSOP package and 1 piece of serial
EEPROM (24C02) for Presence Detect (PD). An outline of the HB526C264EN, HB526C464EN are
168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the HB526C264EN, HB526C464EN make high
density mounting possible without surface mount technology. The HB526C264EN, HB526C464EN
provide common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside each TSOP on the
module board.
Features
168-pin socket type package (dual lead out)
Outline: 133.37 mm (Length)
×
31.75 mm (Height)
×
2.92/4.00 mm (Thickness)
Lead pitch: 1.27 mm
3.3V power supply
Clock frequency: 66 MHz
JEDEC standard outline unbuffered 8-byte DIMM
LVTTL interface
Data bus width:
×
64 Non parity
2 Banks can operates simultaneously and independently
Burst read/write operation and burst read/single write operation capability
Programmable burst length: 1/2/4/8/full page
Programmable burst sequence
Sequential/interleave

HB526C264EN-10IN相似产品对比

HB526C264EN-10IN HB526C464EN-10IN
描述 Synchronous DRAM Module, 2MX64, 9ns, CMOS, 133.37 X 2.92 MM, 31.75 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 4MX64, 9ns, CMOS, 133.37 X 2.92 MM, 31.75 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 9 ns 9 ns
最大时钟频率 (fCLK) 66 MHz 66 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 134217728 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 64
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 2097152 words 4194304 words
字数代码 2000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 65 °C 65 °C
组织 2MX64 4MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096
最大待机电流 0.016 A 0.032 A
最大压摆率 0.8 mA 1.08 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
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