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309UR200P4

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 330A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-205AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小91KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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309UR200P4概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 330A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-205AB,

309UR200P4规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明O-CUPM-X1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH SURGE CAPABILITY
应用HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.4 V
JEDEC-95代码DO-205AB
JESD-30 代码O-CUPM-X1
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流8640 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度180 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流330 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压2000 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Bulletin I2032 rev. A 12/94
301U(R) SERIES
STANDARD RECOVERY DIODES
Stud Version
Features
Wide current range
High voltage ratings up to 2500V
High surge current capabilities
Stud cathode and stud anode version
300A
TypicalApplications
Converters
Power supplies
Machine tool controls
High power drives
Medium traction applications
Major Ratings and Characteristics
301U(R)
Parameters
I
F(AV)
@ T
C
I
F(RMS)
I
FSM
@ 50Hz
@ 60Hz
I
2
t
@ 50Hz
@ 60Hz
V
RRM
range
T
J
80 to 200
330
120
520
8250
8640
340
311
800 to 2000
- 40 to 180
250
300
120
470
6050
6335
183
167
2500
- 40 to 180
Units
A
°C
A
A
A
KA
2
s
KA
2
s
V
°C
case style
DO-205AB (DO-9)
www.irf.com
1
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