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IRFR014概述

Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)

	IRFR014	IRFU014
描述	Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)	Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
是否Rohs认证	不符合	不符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	7.7 A	7.7 A
最大漏极电流 (ID)	7.7 A	7.7 A
最大漏源导通电阻	0.2 Ω	0.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA	TO-251AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e0	e0
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	25 W	25 W
最大功率耗散 (Abs)	25 W	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	34 A	31 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY