Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=110A)
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
零件包装代码 | TO-247AC |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Samacsys Description | N-channel MOSFET,IRFP064N 98A 55V 25pcs |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 480 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 55 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 98 A |
最大漏极电流 (ID) | 110 A |
最大漏源导通电阻 | 0.008 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-247AC |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 390 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
IRFP064N | |
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描述 | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=110A) |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
零件包装代码 | TO-247AC |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Samacsys Description | N-channel MOSFET,IRFP064N 98A 55V 25pcs |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 480 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 55 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 98 A |
最大漏极电流 (ID) | 110 A |
最大漏源导通电阻 | 0.008 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-247AC |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 390 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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