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IRFP064N

产品描述Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=110A)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小597KB,共9页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRFP064N概述

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=110A)

IRFP064N规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-247AC
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionN-channel MOSFET,IRFP064N 98A 55V 25pcs
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)480 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)98 A
最大漏极电流 (ID)110 A
最大漏源导通电阻0.008 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247AC
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)390 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRFP064N相似产品对比

IRFP064N
描述 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=110A)
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 TO-247AC
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Samacsys Description N-channel MOSFET,IRFP064N 98A 55V 25pcs
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 480 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 98 A
最大漏极电流 (ID) 110 A
最大漏源导通电阻 0.008 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 225
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 390 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
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