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IRFL4310

产品描述Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.6A)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小659KB,共9页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRFL4310概述

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.6A)

IRFL4310规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
Reach Compliance Codeunknow
其他特性ULTRA LOW RESISTANCE
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.2 A
最大漏极电流 (ID)1.6 A
最大漏源导通电阻0.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-261AA
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值2.1 W
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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PD - 95144
IRFL4310PbF
HEXFET
®
Power MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
Surface Mount
Dynamic dv/dt Rating
Fast Switching
Ease of Paralleling
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Lead-Free
D
V
DSS
= 100V
R
DS(on)
= 0.20Ω
G
S
I
D
= 1.6A
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET Power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.
The SOT-223 package is designed for surface-mount
using vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.
Its unique package design allows for easy automatic pick-
and-place as with other SOT or SOIC packages but has
the added advantage of improved thermal performance
due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation
of 1.0W is possible in a typical surface mount application.
S O T -2 2 3
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J,
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V**
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V*
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V*
Pulsed Drain Current

Power Dissipation (PCB Mount)**
Power Dissipation (PCB Mount)*
Linear Derating Factor (PCB Mount)*
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy‚
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy*
Peak Diode Recovery dv/dt
ƒ
Junction and Storage Temperature Range
Max.
2.2
1.6
1.3
13
2.1
1.0
8.3
± 20
47
1.6
0.10
5.0
-55 to + 150
Units
A
W
W
mW/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
°C
Thermal Resistance
Parameter
R
θJA
R
θJA
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)*
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)**
Typ.
93
48
Max.
120
60
Units
°C/W
* When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.
** When mounted on 1 inch square copper board, for comparison with other SMD devices.
www.irf.com
1
04/22/04

IRFL4310相似产品对比

IRFL4310
描述 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.6A)
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon )
Reach Compliance Code unknow
其他特性 ULTRA LOW RESISTANCE
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2.2 A
最大漏极电流 (ID) 1.6 A
最大漏源导通电阻 0.2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-261AA
JESD-30 代码 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e0
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 2.1 W
最大功率耗散 (Abs) 1 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
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