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IRFIBF20G

产品描述Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小169KB,共6页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRFIBF20G在线购买

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IRFIBF20G概述

Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A)

IRFIBF20G规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)150 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最小漏源击穿电压900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.2 A
最大漏极电流 (ID)1.2 A
最大漏源导通电阻8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值30 W
最大功率耗散 (Abs)30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)4.8 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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