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IRFI720B

产品描述400V N-Channel MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小665KB,共9页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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IRFI720B概述

400V N-Channel MOSFET

IRFI720B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-262
包装说明I2PAK-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
雪崩能效等级(Eas)240 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.3 A
最大漏极电流 (ID)3.3 A
最大漏源导通电阻1.75 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)49 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)13.2 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IRFI720B相似产品对比

IRFI720B IRFW720 IRFW720B
描述 400V N-Channel MOSFET 400V N-Channel MOSFET 400V N-Channel MOSFET
是否Rohs认证 不符合 - 不符合
厂商名称 Fairchild - Fairchild
零件包装代码 TO-262 - TO-263
包装说明 I2PAK-3 - D2PAK-3
针数 3 - 3
Reach Compliance Code compli - compli
雪崩能效等级(Eas) 240 mJ - 240 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 400 V - 400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.3 A - 3.3 A
最大漏极电流 (ID) 3.3 A - 3.3 A
最大漏源导通电阻 1.75 Ω - 1.75 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-262AA - TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 - R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 - e0
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 49 W - 49 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 13.2 A - 13.2 A
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 NO - YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE - GULL WING
端子位置 SINGLE - SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON

 
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