400V N-Channel MOSFET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Fairchild |
零件包装代码 | TO-262 |
包装说明 | I2PAK-3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
雪崩能效等级(Eas) | 240 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 400 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3.3 A |
最大漏极电流 (ID) | 3.3 A |
最大漏源导通电阻 | 1.75 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-262AA |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 49 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 13.2 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
IRFI720B | IRFW720 | IRFW720B | |
---|---|---|---|
描述 | 400V N-Channel MOSFET | 400V N-Channel MOSFET | 400V N-Channel MOSFET |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
厂商名称 | Fairchild | - | Fairchild |
零件包装代码 | TO-262 | - | TO-263 |
包装说明 | I2PAK-3 | - | D2PAK-3 |
针数 | 3 | - | 3 |
Reach Compliance Code | compli | - | compli |
雪崩能效等级(Eas) | 240 mJ | - | 240 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 400 V | - | 400 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3.3 A | - | 3.3 A |
最大漏极电流 (ID) | 3.3 A | - | 3.3 A |
最大漏源导通电阻 | 1.75 Ω | - | 1.75 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-262AA | - | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | - | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
元件数量 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 3 | - | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | - | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 49 W | - | 49 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 13.2 A | - | 13.2 A |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
表面贴装 | NO | - | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | - | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | - | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved