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IRFBC40: 产品描述6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小48KB，共7页; 制造商Harris; 官网地址http://www.harris.com/

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6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

	IRFBC40	IRFBC42
描述	6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Harris	Harris
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknow
雪崩能效等级（Eas）	570 mJ	570 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	600 V	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	6.2 A	5.4 A
最大漏极电流 (ID)	6.2 A	5.4 A
最大漏源导通电阻	1.2 Ω	1.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	25 A	22 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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