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IRFBC30

产品描述Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小175KB,共6页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRFBC30概述

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)

IRFBC30规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompli
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.6 A
最大漏极电流 (ID)3.6 A
最大漏源导通电阻2.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值74 W
最大功率耗散 (Abs)74 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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