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IRF9132

产品描述12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小512KB,共12页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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IRF9132概述

12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

IRF9132规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)10 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)75 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

 
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