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IRF830概述

4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

IRF830规格参数

参数名称	属性值
端子数量	3
最小击穿电压	500 V
状态	TRANSFERRED
包装形状	矩形的
包装尺寸	凸缘安装
端子形式	THROUGH-孔
端子涂层	锡铅
端子位置	单一的
包装材料	塑料/环氧树脂
结构	单一的
壳体连接	DRAIN
元件数量	1
晶体管应用	开关
晶体管元件材料	硅
通道类型	N沟道
场效应晶体管技术	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT
晶体管类型	通用电源
最大漏电流	4.5 A
最大漏极导通电阻	1.5 ohm
最大漏电流脉冲	15 A

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