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IRF722

产品描述3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小557KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRF722概述

3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

IRF722规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.8 A
最大漏极电流 (ID)2.8 A
最大漏源导通电阻2.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)11 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRF722相似产品对比

IRF722 IRF720 IRF723 IRF721
描述 3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 2.8 A, 350 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
Reach Compliance Code compliant compliant unknow unknown
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 400 V 400 V 350 V 350 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2.8 A 3.3 A 2.8 A 3.3 A
最大漏极电流 (ID) 2.8 A 3.3 A 2.8 A 3.3 A
最大漏源导通电阻 2.5 Ω 1.8 Ω 2.5 Ω 1.8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W 50 W 50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 11 A 13 A 11 A 13 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 - 1
包装说明 - FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

 
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