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IRF644S

产品描述Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小221KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRF644S在线购买

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IRF644S概述

Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A)

IRF644S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码D2PAK
包装说明SMD-220, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)14 A
最大漏极电流 (ID)14 A
最大漏源导通电阻0.28 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值125 W
最大功率耗散 (Abs)125 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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