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IRF634A

产品描述8.1 A, 250 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小223KB,共7页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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IRF634A概述

8.1 A, 250 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

IRF634A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)205 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)8.1 A
最大漏极电流 (ID)8.1 A
最大漏源导通电阻0.45 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)32 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRF634A相似产品对比

IRF634A IRF634
描述 8.1 A, 250 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 8.1 A, 250 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB
包装说明 TO-220, 3 PIN FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 205 mJ 205 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 250 V 250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 8.1 A 8.1 A
最大漏极电流 (ID) 8.1 A 8.1 A
最大漏源导通电阻 0.45 Ω 0.45 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 74 W 74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 32 A 32 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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