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IRF621

产品描述5 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小168KB,共5页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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IRF621概述

5 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

5 A, 200 V, 0.8 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-204AA

IRF621规格参数

参数名称属性值
端子数量2
最小击穿电压200 V
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式PIN/PEG
端子涂层TIN LEAD
端子位置BOTTOM
包装材料METAL
结构SINGLE
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流5 A
最大漏极导通电阻0.8000 ohm
最大漏电流脉冲20 A
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