Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=0.6A)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | TSOP |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数 | 6 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 9.9 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.6 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.6 A |
| 最大漏源导通电阻 | 2.2 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | MO-193AA |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 6 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 4.8 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| IRF5801 | |
|---|---|
| 描述 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=0.6A) |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | TSOP |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数 | 6 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 9.9 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.6 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.6 A |
| 最大漏源导通电阻 | 2.2 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | MO-193AA |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 6 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 4.8 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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