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IRF452

产品描述13 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小216KB,共5页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRF452概述

13 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

13 A, 500 V, 0.4 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-204AA

IRF452规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)11 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

IRF452相似产品对比

IRF452 IRF451 IRF453 IRF450
描述 13 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA 13 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA 13 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA 13 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
配置 Single Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 11 A 13 A 11 A 12 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 125 W 125 W 125 W 150 W
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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