IRF440概述

8 A, 500 V, 0.98 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

8 A, 500 V, 0.98 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-204AA

IRF440规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
配置	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码	e0
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)

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IRF440相似产品对比

	IRF440	IRF441	IRF442	IRF443
描述	8 A, 500 V, 0.98 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA	8 A, 500 V, 0.98 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA	8 A, 500 V, 0.98 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA	8 A, 500 V, 0.98 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknow	unknow
配置	Single	Single	Single	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8 A	8 A	7 A	7 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W	125 W	125 W	125 W
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)

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