4.5 A, 20 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3
4.5 A, 20 V, 1.8 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 2 |
| 最小击穿电压 | 20 V |
| 状态 | ACTIVE |
| 包装形状 | 圆 |
| 包装尺寸 | 凸缘安装 |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子涂层 | NOT SPECIFIED |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 包装材料 | 金属 |
| 结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
| 壳体连接 | DRAIN |
| 元件数量 | 1 |
| 晶体管元件材料 | 硅 |
| 通道类型 | N沟道 |
| 场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 操作模式 | ENHANCEMENT |
| 晶体管类型 | 通用电源 |
| 最大漏电流 | 4.5 A |
| 额定雪崩能量 | 1.1 mJ |
| 最大漏极导通电阻 | 1.8 ohm |
| 最大漏电流脉冲 | 18 A |
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