4.5 A, 20 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3
4.5 A, 20 V, 1.8 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e0 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 75 W |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| IRF432 | IRF430 | IRF431 | IRF433 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 4.5 A, 20 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 | 4.5 A, 20 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 | 4.5 A, 20 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 | 4.5 A, 20 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow |
| 配置 | Single | Single | Single | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4 A | 4.5 A | 4.5 A | 4 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 75 W | 75 W | 75 W | 75 W |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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