Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas） | 590 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 43 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 43 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.042 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 200 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 150 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IRF3415S | IRF3415STRRPBF | IRF3415STRLHR | IRF3415SHR | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A) | mosfet N-CH 150v 43a d2pak | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3/2 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3/2 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli | not_compliant | unknown | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 590 mJ | 590 mJ | 590 mJ | 590 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 150 V | 150 V | 150 V | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 43 A | 43 A | 43 A | 43 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.042 Ω | 0.042 Ω | 0.042 Ω | 0.042 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 150 A | 150 A | 150 A | 150 A |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 是否无铅 | 含铅 | 不含铅 | - | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | - | 不符合 |
| JESD-609代码 | e0 | e3 | - | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | - | 1 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 260 | - | 225 |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | - | TIN LEAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | - | 30 |
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