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IRF340

产品描述POWER, FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小146KB,共7页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRF340概述

POWER, FET

POWER, 场效应晶体管

IRF340规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码BFM
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Codecompli
雪崩能效等级(Eas)5.7 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)10 A
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻0.63 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-204AE
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值125 W
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)137 ns
最大开启时间(吨)117 ns

IRF340相似产品对比

IRF340
描述 POWER, FET
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 BFM
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数 2
Reach Compliance Code compli
雪崩能效等级(Eas) 5.7 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 10 A
最大漏极电流 (ID) 10 A
最大漏源导通电阻 0.63 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-204AE
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 125 W
最大功率耗散 (Abs) 125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 137 ns
最大开启时间(吨) 117 ns

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