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IRF2903ZS: 产品描述HEXFET Power MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小345KB，共11页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRF2903ZS概述

HEXFET Power MOSFET

IRF2903ZS规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）	820 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	260 A
最大漏极电流 (ID)	75 A
最大漏源导通电阻	0.0024 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	225
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	290 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	1020 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IRF2903ZS相似产品对比

	IRF2903ZS	IRF2903ZSTRRPBF	IRF2903ZSTRL	IRF2903ZSTRR
描述	HEXFET Power MOSFET	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	compli	compliant	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）	820 mJ	820 mJ	820 mJ	820 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	75 A	75 A	75 A	75 A
最大漏源导通电阻	0.0024 Ω	0.0024 Ω	0.0024 Ω	0.0024 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	1020 A	1020 A	1020 A	1020 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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