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IRF230: 产品描述9 A, 200 V, 0.49 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小50KB，共7页; 制造商Intersil ( Renesas ); 官网地址http://www.intersil.com/cda/home/

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9 A, 200 V, 0.49 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

9 A, 200 V, 0.49 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-204AA

参数名称	属性值
端子数量	2
最小击穿电压	200 V
加工封装描述	HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN
状态	ACTIVE
包装形状	ROUND
包装尺寸	FLANGE MOUNT
端子形式	PIN/PEG
端子涂层	TIN LEAD
端子位置	BOTTOM
包装材料	METAL
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接	DRAIN
元件数量	1
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
通道类型	N-CHANNEL
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT
晶体管类型	GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流	9 A
额定雪崩能量	54 mJ
最大漏极导通电阻	0.4900 ohm
最大漏电流脉冲	36 A

	IRF230	IRF231	IRF232	IRF233
描述	9 A, 200 V, 0.49 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA	9A, 150V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA	9 A, 200 V, 0.49 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA	9 A, 200 V, 0.49 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
端子数量	2	2	2	2
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
元件数量	1	1	1	1
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最小击穿电压	200 V	-	200 V	200 V
加工封装描述	HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN	-	HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN	HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN
状态	ACTIVE	-	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	ROUND	-	ROUND	ROUND
包装尺寸	FLANGE MOUNT	-	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
端子涂层	TIN LEAD	-	TIN LEAD	TIN LEAD
包装材料	METAL	-	METAL	METAL
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接	DRAIN	-	DRAIN	DRAIN
通道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT	-	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT
晶体管类型	GENERAL PURPOSE POWER	-	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流	9 A	-	9 A	9 A
额定雪崩能量	54 mJ	-	54 mJ	54 mJ
最大漏极导通电阻	0.4900 ohm	-	0.4900 ohm	0.4900 ohm
最大漏电流脉冲	36 A	-	36 A	36 A

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